Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 10, страницы 2063–2065
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.10.44981.097 (Mi ftt9444) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Графены

Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия

А. В. Буткоa, В. Ю. Буткоab, С. П. Лебедевac, А. А. Лебедевa, Ю. А. Кумзеровa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (226 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.10.44981.097
Аннотация: Для создания новых перспективных химических сенсоров большое значение имеет исследование влияния на транзисторные характеристики графена его интерфейса с водными растворами кислот и щелочей. Созданы и исследованы транзисторные структуры на основе графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния. Для интерфейса графена с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Установлено, что увеличение концентрации молекулярных ионов в данных растворах приводит к усилению зависимости сопротивления транзистора от напряжения на затворе.
Поступила в редакцию: 28.03.2017
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2017, Volume 59, Issue 10, Pages 2089–2091
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417100092
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия”, Физика твердого тела, 59:10 (2017), 2063–2065; Phys. Solid State, 59:10 (2017), 2089–2091
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ButButLeb17}
\by А.~В.~Бутко, В.~Ю.~Бутко, С.~П.~Лебедев, А.~А.~Лебедев, Ю.~А.~Кумзеров
\paper Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 10
\pages 2063--2065
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9444}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.10.44981.097}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30108743}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 10
\pages 2089--2091
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417100092}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9444
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i10/p2063
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    1. А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2474–2477  mathnet  crossref; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effect in monolayer graphene associated with the formation of graphene–water interface”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2668–2671  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025