Аннотация:
Методом лазерного распыления в вакууме созданы эпитаксиальные гетероструктуры InFeSb/GaAs. Исследования методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и микродифракции показали, что слои InFeSb являются монокристаллическими и не содержат нановключений дополнительной фазы. Исследования магнитотранспортных свойств обнаружили, что в структурах наблюдается аномальный эффект Холла и отрицательное магнетосопротивление вплоть до комнатной температуры.
Образец цитирования:
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222
\RBibitem{KudDanLes17}
\by А.~В.~Кудрин, Ю.~А.~Данилов, В.~П.~Лесников, О.~В.~Вихрова, Д.~А.~Павлов, Ю.~В.~Усов, Е.~А.~Питиримова, И.~Н.~Антонов
\paper Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 11
\pages 2200--2202
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9401}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30554687}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 11
\pages 2220--2222
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417110178}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9401
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i11/p2200
Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
Ю. М. Кузнецов, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, Д. А. Здоровейщев, “Гальваномагнитные и термомагнитные явления в тонких металлических плёнках CoPt”, УФН, 193:3 (2023), 331–339; Yu. M. Kuznetsov, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, D. A. Zdoroveyshchev, “Galvanomagnetic and thermomagnetic phenomena in thin metal CoPt films”, Phys. Usp., 66:3 (2023), 312–319
Y Kuznetsov, M Dorokhin, A. Kudrin, M Ved, V Lesnikov, “Anomalous Nernst-Ettingshausen effect in diluted magnetic semiconductors”, J. Phys.: Conf. Ser., 1695:1 (2020), 012145
Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Р. Н. Крюков, И. Н. Антонов, Д. С. Толкачев, А. В. Алафердов, З. Э. Кунькова, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, “Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2137–2140; Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, R. N. Kriukov, I. N. Antonov, D. S. Tolkachev, A. V. Alaferdov, Z. E. Kun'kova, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, “The study of features of formation and properties of А3В5 semiconductors highly doped with iron”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2178–2181