Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 5, страницы 888–896
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.05.45782.252 (Mi ftt9193) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводники

Тонкопленочные гетероструктуры InxAlyGa1−x−yAszSb1−z/GaSb, выращенные в поле температурного градиента

М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, В. В. Калинчук, А. Е. Казакова

Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
PDF полного текста (452 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.05.45782.252
Аннотация: Обсуждаются результаты выращивания тонкопленочных гетероструктур InxAlyGa1−x−yAszSb1−z/GaSb из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства тонких пленок InAlGaAsSb выращенных на подложке GaSb.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-19-01676
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда, грант № 14-19-01676.
Поступила в редакцию: 29.08.2017
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2018, Volume 60, Issue 5, Pages 890–898
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418050177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, В. В. Калинчук, А. Е. Казакова, “Тонкопленочные гетероструктуры InxAlyGa1−x−yAszSb1−z/GaSb, выращенные в поле температурного градиента”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 888–896; Phys. Solid State, 60:5 (2018), 890–898
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunLunKal18}
\by М.~Л.~Лунина, Л.~С.~Лунин, В.~В.~Калинчук, А.~Е.~Казакова
\paper Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 5
\pages 888--896
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9193}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.05.45782.252}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739874}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2018
\vol 60
\issue 5
\pages 890--898
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783418050177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9193
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i5/p888
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. Marina L. Lunina, Leonid S. Lunin, Dina L. Alfimova, Alexander S. Pashchenko, Eleonora M. Danilina, Olga S. Pashchenko, “Synthesis from the liquid phase of bismuth-containing AlGaInAsP solid solutions on InP substrates: Growth kinetics, structural and luminescent properties”, Thin Solid Films, 711 (2020), 138295  crossref
    2. Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, Н. М. Богатов, “Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 648–653  mathnet  crossref; L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, N. M. Bogatov, “AlGaInSbAs solid solutions grown on inas substrates by zone recrystallization with a temperature gradient”, Semiconductors, 54:7 (2020), 759–764  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025