|
Физика твердого тела, 1992, том 34, выпуск 10, страницы 3119–3124
(Mi ftt7763)
|
|
|
|
Влияние одноосного сжатия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6
Ю. М. Высочанский, С. И. Перечинский, И. П. Приц, В. М. Ризак, И. М. Ризак, А. А. Сейковская Ужгородский государственный университет
Аннотация:
Для собственных одноосных сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 изучено влияние одноосного сжатия на температурные зависимости двупреломления и диэлектрической проницаемости. Сопоставлено влияние сжатия на сегнетоэлектрический фазовый переход (ФП) в Sn2P2S6 и на ограничивающие несоразмерную (НС) фазу переходы в Sn2P2Se6. Наблюдаемые барические скорости изменения температур ФП и интервала НС фазы согласуются с рассчитанными в приближении, учитывающем наличие наряду с точкой Лифшица и трикритической точки на диаграмме состояний исследованных кристаллов. Установлены изменение при замене серы на селен соотношения барических скоростей температур ФП для разных одноосных механических напряжений и слабая чувствительность НС фазы к сжатию вдоль оси модуляции структуры. Предположено, что эти проявления анизотропии связаны с особенностями линейного взаимодействия мягкой оптической и акустических фононных ветвей.
Поступила в редакцию: 10.09.1991 Исправленный вариант: 12.05.1992
Образец цитирования:
Ю. М. Высочанский, С. И. Перечинский, И. П. Приц, В. М. Ризак, И. М. Ризак, А. А. Сейковская, “Влияние одноосного сжатия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6”, Физика твердого тела, 34:10 (1992), 3119–3124
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt7763 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v34/i10/p3119
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 101 | PDF полного текста: | 26 |
|