|
Физика твердого тела, 1991, том 33, выпуск 7, страницы 2044–2052
(Mi ftt6948)
|
|
|
|
Излучательная рекомбинация в короткопериодических аморфных сверхрешетках Si/SiO2
Е. А. Виноградов, А. В. Заяц, Д. Н. Никогосян, Ю. А. Репеев Институт спектроскопии АН СССР, г. Троицк, Московская обл.
Аннотация:
Исследованы спектры ФЛ и ВФЛ короткопериодических (⩽20 Å) сверхрешеток (СР) a-Si/SiO2 при непрерывном и пикосекундном лазерном возбуждении. Наблюдается существенное увеличение (в ≃104 раз) интенсивности примесной люминесценции (2.1 эВ) a-SiO2 в СР по сравнению с отдельными слоями a-SiO2, обусловленное переносом возбужденных носителей между слоями СР. Обнаружена люминесценция при переходах между первыми и вторыми подзонами c- и v-зон слоев a-Si в СР. Релаксация возбужденных носителей между подзонами одной зоны не наблюдается. Обнаружена рекомбинация носителей с участием состояний подзон слоев a-Si и примесных состояний a-SiO2. Доказательств влияния квантоворазмерных эффектов на глубокие примесные состояния в a-SiO2 не обнаружено. Быстрая безызлучательная рекомбинация в слоях a-Si CP приводит к отсутствию люминесценции этих слоев при непрерывном возбуждении.
Поступила в редакцию: 09.01.1991
Образец цитирования:
Е. А. Виноградов, А. В. Заяц, Д. Н. Никогосян, Ю. А. Репеев, “Излучательная рекомбинация в короткопериодических аморфных сверхрешетках Si/SiO2”, Физика твердого тела, 33:7 (1991), 2044–2052
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt6948 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v33/i7/p2044
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 76 | PDF полного текста: | 30 |
|