Кластерные расчеты электронной структуры F-подобных центров в кристаллах MgF$_{2}$ методом рассеянных волн

Приведены кластерные расчеты электронной структуры $F$-центров, «чистых» вакансий (V), вакансионно-примесных комплексов [V + Me$^{+}$], Me = Li$^{+}$, Na$^{+}$, K$^{+}$, M-центров (F$_{2}$- и F$_{2}^{+}$-центров симметрии $D_{2h}$) в кристаллах MgF$_{2}$. Расчеты проводились методом рассеянных волн (ССП$-$РВ методом) в модели внедренного кластера. Использована полуэмпирическая схема коррекции погрешности функционала локальной плотности в оценке величины $E_{g}$ для идеального кристалла в рамках принятой схемы внедрения кластера в кристалл. Рассчитанные энергии поглощения центров для основного перехода хорошо согласуются с экспериментальными. Обсуждается влияние учета эффектов анизотропии кристаллического потенциала и релаксации решетки на структуру одноэлектронного спектра дефектов.