Полосы переноса заряда в молекулярных кристаллах смешанной валентности

Рассмотрены электронно-колебательные полосы поглощения света молекулярными кристаллами смешанной валентности, содержащими в качестве структурного элемента, решетки кластеры переходных металлов в различных степенях окисления. Расчет формы полосы поглощения в различных фазовых состояниях выполнен в полуклассическом приближении для кристалла, состоящего из трехэлектронных кластеров переходных металлов типа $d^{1}{-}d^{2}$. Полоса отличается от гауссовской, ее форма определяется параметрами двойного и гайзенберговского обмена и температурной зависимостью среднего дипольного момента, выступающего в роли параметра порядка. Температурная зависимость формы полос поглощения содержит информацию о параметрах вибронного взаимодействия и зарядовом упорядочении.