Низкотемпературная фотолюминесценция гетероэпитаксиальных слоев теллурида свинца

При 4$-$2 K зарегистрированы спектры фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев РbТе на BaF$_{2}$, возбуждаемые GaAs-лазером. Структура спектра и ее зависимость от магнитного поля $H$ свидетельствуют об излучательной рекомбинации не с подзон Ландау, а с мелких донорных состояний, отделенных от них энергий связи $R$ порядка 1 мэВ, растущей с увеличением $H$. Положения линий люминесценции при ${H=0}$ позволяют с точностью до $R$ установить величины деформационных энергетических сдвигов, возникающих из-за различных термических свойств подложки и слоя. Данная работа — одно из первых наблюдений мелких связанных состояний в РbТе, энергия связи которых при ${H=0}$ ничтожна из-за чрезвычайно высокой диэлектрической проницаемости.