Детектирование фононных импульсов в кристаллах Ge и Si с помощью флуоресцентного контактного фононного спектрометра

С помощью оптического детектирования фононов пленки YF$_{3}$Tb$^{3+}$, напыленной на кристаллы Ge и Se, было изучено распространение высокочастотных неравновесных фононов в Ge и Si при ${T=1.7}$ K. В работе рассматривается влияние «горячего пятна» на процесс генерации терагерцовых фононов.