Уширение линии диамагнитного экситона в твердых растворах

Рассчитана ширина линии экситонного поглощения света в твердых растворах в сильном магнитном поле, обусловленная флуктуациями состава твердого раствора. Показано, что в зависимости от параметров полупроводника и величины магнитного поля реализуется один из следующих трех механизмов уширения: первый связан с движением экситона как целого во флуктуационном потенциале, при втором уширение определяется взаимодействием с флуктуациями при движении экситона только поперек магнитного поля, наконец, третий механизм связан с движением электрона вокруг дырки во флуктуационном потенциале. Во всех трех случаях ширина линии растет с ростом магнитного ноля.