|
Полупроводники
Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Ю. А. Дудинa, А. В. Здоровейщевa, И. Л. Калентьеваa, А. В. Кудринa, Р. Н. Крюковa, А. В. Неждановa, А. Е. Парафинb, М. К. Тапероcd, М. П. Темирязеваe, А. Г. Темирязевe, А. А. Яковлеваa a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Нижний Новгород, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
d Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
e Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация:
Рассмотрено получение ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией и тремя типами отжига: быстрый термический, импульсный лазерный и комбинированный отжиг (сочетание быстрого термического и импульсного лазерного отжига). Быстрый термический отжиг способствовал улучшению кристалличности и формированию включений (в том числе и ферромагнитных при комнатной температуре), а последующее воздействие лазерного излучения приводило к их модифицированию. При исследовании структурных, гальваномагнитных и магнитооптических свойств обнаружено формирование в слоях GaMnAs двух ферромагнитных фаз, отличающихся температурой Кюри.
Ключевые слова:
ионное легирование, быстрый термический отжиг, импульсный лазерный отжиг, двухфазный ферромагнитный полупроводник.
Поступила в редакцию: 16.06.2024 Исправленный вариант: 26.09.2024 Принята в печать: 28.09.2024
Образец цитирования:
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Ю. А. Дудин, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, М. К. Таперо, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, А. А. Яковлева, “Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига”, Физика твердого тела, 66:10 (2024), 1686–1698
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt10447 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v66/i10/p1686
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 21 | PDF полного текста: | 8 |
|