Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 10, страницы 1686–1698
DOI: https://doi.org/10.61011/FTT.2024.10.59073.195
(Mi ftt10447)
 

Полупроводники

Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига

О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Ю. А. Дудинa, А. В. Здоровейщевa, И. Л. Калентьеваa, А. В. Кудринa, Р. Н. Крюковa, А. В. Неждановa, А. Е. Парафинb, М. К. Тапероcd, М. П. Темирязеваe, А. Г. Темирязевe, А. А. Яковлеваa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Нижний Новгород, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
d Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
e Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация: Рассмотрено получение ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией и тремя типами отжига: быстрый термический, импульсный лазерный и комбинированный отжиг (сочетание быстрого термического и импульсного лазерного отжига). Быстрый термический отжиг способствовал улучшению кристалличности и формированию включений (в том числе и ферромагнитных при комнатной температуре), а последующее воздействие лазерного излучения приводило к их модифицированию. При исследовании структурных, гальваномагнитных и магнитооптических свойств обнаружено формирование в слоях GaMnAs двух ферромагнитных фаз, отличающихся температурой Кюри.
Ключевые слова: ионное легирование, быстрый термический отжиг, импульсный лазерный отжиг, двухфазный ферромагнитный полупроводник.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-29-00312
Работа выполнена при финансировании Российским научным фондом (грант № 23-29-00312).
Поступила в редакцию: 16.06.2024
Исправленный вариант: 26.09.2024
Принята в печать: 28.09.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Ю. А. Дудин, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, М. К. Таперо, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, А. А. Яковлева, “Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига”, Физика твердого тела, 66:10 (2024), 1686–1698
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VikDanDud24}
\by О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Ю.~А.~Дудин, А.~В.~Здоровейщев, И.~Л.~Калентьева, А.~В.~Кудрин, Р.~Н.~Крюков, А.~В.~Нежданов, А.~Е.~Парафин, М.~К.~Таперо, М.~П.~Темирязева, А.~Г.~Темирязев, А.~А.~Яковлева
\paper Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
\jour Физика твердого тела
\yr 2024
\vol 66
\issue 10
\pages 1686--1698
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10447}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTT.2024.10.59073.195}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=80319867}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10447
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v66/i10/p1686
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:21
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025