Processing math: 100%
Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1993, том 332, номер 5, страницы 575–577 (Mi dan49591)  
ФИЗИКА

Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования

В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
PDF полного текста (297 kB)
Поступило: 21.06.1993
Тип публикации: Статья
УДК: 538.971:621.793
Образец цитирования: В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров, “Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования”, Докл. РАН, 332:5 (1993), 575–577
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MokMedKot93}
\by В.~Г.~Мокеров, Б.~К.~Медведев, И.~Н.~Котельников, Ю.~В.~Федоров
\paper Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования
\jour Докл. РАН
\yr 1993
\vol 332
\issue 5
\pages 575--577
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan49591}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan49591
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v332/i5/p575
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:85
    PDF полного текста:33
    Список литературы:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025